MOSFET具有导通电阻低，开关速度快，工艺比较成熟等优点，被广泛应用于开关电源中。
关于MOSFET的驱动，主要是根据电源IC及我们所要驱动的MOS的参数来选择合适的驱动电路。
在我们设计电源时，不仅要考虑考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流，还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
一般MOSFET驱动电路有以下几点要求：
1.在开通瞬态，驱动电路能够提供足够大的充电电流使MOSFET栅源电压迅速达到所需值;
2.MOSFET在导通期间，GS极电压保持稳定；
3.MOSFET关断时驱动电路能提供低阻抗通路保证MOSFET快速放电关断；
4.驱动电路简单且低损耗；
5.根据应用情况可隔离。
电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式。
电源IC驱动能力不足时如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路上增强驱动能力，常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，这种驱动电路作用在于，提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，同时减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
驱动电路加速MOS管关断时间,关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
除此之外还有隔离驱动,为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动等等，对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的，只有结合具体应用，选择最合适的驱动。
总结：SPSEMI瞬雷电子可以提供30V-100V各电压段电机驱动MOSFET，以及应用在开关电源高压超JMOSFET，在性能功耗等方面具有市场竞争力。