MOS同步整流以其低功耗、高效率特性深受电源设计人员的青睐，但对于广大半导体人员来说，了解MOS同步整流的特点和应用场景，可以更好的服务于客户，下面以下MOS同步整流和非同步整流三个方面的差异来进行说明。
一、传统非同步整流二极管或肖特基与MOS的最大的区别一：导通压降的差异。 1、以硅基材料二极管或肖特基为例，其单向导通压降约0.7V左右，并随通流上升，导通压降也在增大，功耗升高，以5V快充为例： ①、充电电压为5V，充电电流为1A时，整流二极管或肖特基的压降为0.7V,根据欧姆定律，可以得出整流器件的： 功耗PD=IU=1X0.7=0.7W， 输出功率P=IU=5X1=5W， 功耗比 =PD/P X100%=0.7/5*100%=14%. ②、充电电压为5V，充电电流为10A时，整流二极管或肖特基的压降为1.2V,根据欧姆定律，可以得出整流器件的： 功耗PD=IU=10X1.2=12W， 输出功率P=IU=10X5=50W， 功耗比 =PD/P*100%=12/50*100%=24%. 2、而硅基材的MOS导通压降与MOS导通内阻RDSON有关，RDSON越小导通压降越小，以30mR的导通内阻的MOS为例（实际同步整流所用MOS的导通内阻远小于30mR)： ①、充电电压为5V，快充充电电流10A时，其导通压降约0.3V， MOS功耗PQ=IU=10*0.3=3W， 输出功率相同P=IU=10*5=50W。 功耗比 =PQ/P*100%=3/50*100%=6% 通过以上案例，可以看出，即使选用一般的MOS同步整流功耗也仅为二极管整流功耗的1/4.使用更低导通内阻的MOS，功耗的差异更加明显。
未完待续...