二、传统非同步整流二极管（含肖特基)与MOS的最大的区别二：导通方式不同。
1、二极管（含肖特基）导通需要依靠作用于二极管本身的电压上升到二极管的导通阀值时，二极管才导通，但开关变压器输出的电压波形，电压从0到二极管开启阀值都有一个上升时间，达到二极管的导通电压阀值后，输出电流由低到高变化，一个周期结束，电压从高电平下降到二极管的关闭阀值又是一个下降时间，输出电流由高到低，而这个而二极管导通前关闭后的时间内电流是无输出的，这也又是二极管（含肖特基）整流的一个主要功耗。简单来讲，二极管（含肖特基）靠电压驱动导通的阀门，而在阀门开前关后时间内无电流输出是无效功率，是损耗。
2、MOS导通却由控制芯片完成，交流脉冲电压来到MOS门前，芯片控制MOS的导通与脉冲周期时间同步，电流直接经MOS输出，减少MOS开启和关闭的过程中电平上升和下降的时间，整个周期内输出相同，损耗较小。
通过两者的导通方式对比，通俗来讲，二极管整流相当于人走到门前，需要自已打开门通过后再把门关上，耗时费力；而MOS同步整流相当于人走到门前，别人已经把门打开，通过后别人再把门关上，完全不需要自已动手，省时省力。
三、传统非同步整流二极管（含肖特基)与MOS的最大的区别三：电路结构不同。
1、MOS同步整流电路相比二极管（含肖特基）整流电路要复杂得多，除控制芯片以外，还有其它器件辅助，成本较高。
2、由于同步整流电路相对比较复杂，影响其工作稳定性的因素相对较多，一旦控制芯片输出信号延时等，就会出现时序混乱，必影响输出，所以稳定性相对较差。
综上所述，在高压输出整流电路中，由于其占空比高，二极管（含肖特基）整流与MOS同步整流的功耗差异较非常小，通常选低成本和稳定性高的的二极管（含肖特基）整流。而在低压大电流整流电路中（充电类电路），由于其占空比低，MOS同步整流功耗低效率高的优势十分明显，如PD快充、充电桩、新能源储能等领域应用十分广泛。
