一、静电容易损坏MOS的根本原因
1、以平面MOS结构为例，如图所示：
2、MOS工作原理：在N沟道MOS中，源极S与P型半导体相连，VDS为反向二极管不导通，VSD为正向二极管（N沟道MOS内的体二极管）可以导通。所以漏极D到源极S间导通需要在栅极g上施加正向电压，由栅极与半导体间由绝缘层隔离，电荷在栅极上产正电场，按电场规律同性相斥异性相吸的原理，对多子为电子（带负电）的N型半导体中的电子产生吸引力，反之多子为空穴（正电）的P形半导体中的空穴产生排拆力，大量电子在绝缘层下堆积形成导电沟道，连通源极S、漏极D的N形半导体形成导通沟道，漏源极导通。P沟道加反向电压形成负电场，原理相同，极性相反。
3、如图中红色区域的导电沟道，其导电能力取决于沟道的导通电阻：
沟道电阻R（内阻）=ρ(电阻率）×L（沟道长度）/S（沟道面积）
其中ρ电阻率取决于N型半导体中多子（电子）的数量，即N型半导体掺杂浓度 。
其中L取决于沟道的长度，即芯片版图设计尺寸或MOS击穿电压的大小相关。
其中S导电沟道的面积取决于沟道的大小，与N型半导体的掺杂浓度和栅极电场强决定。
按以上公式可以看出，S越大（沟道越宽），沟道导通电阻越小，导电能力越强。
4、通过以上公式可以看出，决定MOS导电能力的三个主要的因素中，由于MOS成型后电阻率ρ、沟道长度L已无法改变，唯一可变因素只有S，即通过栅极电场的大小改变导电沟道的宽度，进一步改变MOS漏源电流的大小。
5、但是栅极电场越高，为避免绝缘层损坏，氧化物的绝缘层必然越厚，绝缘层越厚，MOS最小开启电压VGS(th)必然越高，同时因结电容变大原因开启时间也越长，就失去了MOS低开启低功耗高频率的优势；为了解决这样的矛盾，目前市面上大多MOS产品的VGS上限规定在±20V以内，即栅极电场施加的电压不能高于20V，否则MOS作为开关器件或大规模集成电路器件的优势将荡然无存。
6、MOS栅极电压低，加上其结构特点，注定无法抵抗高电压的冲击，这就是MOS栅极容易损坏的主要原因。