二、静电损坏MOS主要方式
1、从上文中得到，为了确保MOS具有低开启、低功耗、高频率等特性，VGS一般都在20V以内，即栅极氧化物绝缘层比较薄弱，抗电压能力较弱。而静电无处不在，其中对MOS影响最大的当属人体静电，高达几KV的人体静电电压，是对MOS栅极损伤的主要元凶。
2、静电对MOS的主要损坏方式分为：
1）静电击穿：指作用于MOS栅极上的静电电压远超VGS标准，将MOS氧化物的绝缘层破坏，栅极G与源极S导通，IGSS漏电流远超MOS规格标准，如图：静电击穿。
在栅极击穿状态下，驱动电压在栅极无法形成电场或电场场强变弱，吸附N型半导体中电子（带负电）的能力变差，在漏极和源极形的以导电沟道变窄，RDS内阻变大，漏源间压降VFDS升高，导电沟道因功率增大而急剧发热，在极短时间内熔化PN结或破坏MOS内部结构，造成DS击穿短路或其它失效状态，并在芯片表面留下明显的高温烧灼痕迹，这种击穿通常发生在初始开机或通电时，而且过热时间短，击穿点呈不规则状态，通俗称为MOS炸机，如图：静电击穿芯片。
2）静电损伤：指作用于MOS栅极上的静电电压超过VGS标准，因放电时间较短或静电电压相对较低等因素，不足以将绝缘层完全破坏，只造成局部绝缘层变薄或损伤，造成IGSS漏电流远超MOS规格标准。如图：静电损伤（软击穿）。
IGSS超标的状态下，驱动电压在栅极电场场强变弱，吸附N型半导体中电子（带负电）的能力变弱，在漏极和源极形的以导电沟道变窄，RDS内阻变大，VFDS压降升高，导通位置因功率增大而发热，随通电时间持续，导电通道温度持续上升，因半导体材料导电率随温度升高而升高，因此IGSS因温度升高继续增大，形成恶性循环，当温度熔化PN结时，最终导致DS击穿短路，并在S极上留下明显的高温烧灼痕迹，这种通常称为软击穿，多发生在老化测试或用户端，MOS失效时间取决于栅极损伤程度和产品持续工作时间长度。因失效过程时间久，且温度上升慢，击穿点多呈规测的圆形或椭圆形，如图：静电损伤芯片图。
3）两种状态的静电导致MOS击穿的共同点：栅极G对源S的极间电阻RGS短路或电阻较小，且MOS芯片栅极电极处均会有不同程度的烧伤痕迹。